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IPS110N12N3G	N-channel, normal level 文件：593.6 Kbytes Page：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPS110N12N3	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：247.54 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPS110N12N3GBKMA1	MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IIPD110N12N3	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.12 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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IPS110N12N3G供应商更多...

更新时间：2025-11-20 13:51:00

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IPS1025HFQ 高压侧开关
STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装
2022-10-27
IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18
IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11
IPW60R080P7
IPW60R080P7，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-20
IPW60R060P7
IPW60R060P7
2019-7-9
IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位
2012-11-14