型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IPS110N12N3

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:247.54 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-channel, normal level

文件:593.6 Kbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOSTM3Power-Transistor

文件:329.42 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

N-Channel MOSFET Transistor

文件:336.12 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET Transistor

文件:336.12 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

OptiMOSTM3Power-Transistor

文件:329.42 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

N-channel, normal level

文件:593.6 Kbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

IPS110N12N3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPS110N12N3

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    OptiMOSTM3Power-Transistor

更新时间:2025-8-17 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
24+
TO252
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
VBsemi
24+
TO252
5000
全新原装正品,现货销售
INFINEON
23+
TO251-3
7000
Infineon/英飞凌
22+
TO251-3
25000
只做原装进口现货,专注配单
原装正品
23+
TO-251
17036
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
VBsemi
21+
TO252
10026
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INFINEON/英飞凌
24+
TO-251A
17412
原装进口假一罚十
Infineon/英飞凌
22+
TO251-3
6000
十年配单,只做原装
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
INFINEON
23+
TO-251
25000
英飞凌MOS管全系列在售,终端可供样品

IPS110N12N3数据表相关新闻

  • IPS1025HFQ 高压侧开关

    STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装

    2022-10-27
  • IPS1011SPBF

    原装正品现货

    2022-5-18
  • IPW60R041P6原装现货

    IPW60R041P6原装正品

    2021-8-11
  • IPW60R080P7

    IPW60R080P7,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-20
  • IPW60R060P7

    IPW60R060P7

    2019-7-9
  • IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关

    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。 特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位

    2012-11-14