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OptiMOS 2 Power-Transistor

Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant

Infineon

英飞凌

OptiMOS짰2 Power-Transistor

Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant

Infineon

英飞凌

OptiMOS짰2 Power-Transistor

Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant

Infineon

英飞凌

MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

Infineon

英飞凌

MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

Infineon

英飞凌

OptiMOS짰2 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

OptiMOS짰2 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@30A=9mΩ • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ • Advanced trench process technology • High Density Cell Design For Uitra Low On-Resistance • Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

PANJIT

強茂

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.73665 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IPS09N03产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPS09N03

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    OptiMOS 2 Power-Transistor

更新时间:2025-12-15 20:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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TO251
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INFINEON/英飞凌全新特价IPS09N03LAG即刻询购立享优惠#长期有货
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