IPP80N06S2价格

参考价格:¥6.5125

型号:IPP80N06S2-05 品牌:Infineon 备注:这里有IPP80N06S2多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IPP80N06S2批发/采购报价,IPP80N06S2行情走势销售排行榜,IPP80N06S2报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N-Channel MOSFET

FEATURES · Drain Current -ID= 80A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9.1mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switch Mode Power Supply (SMPS) · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Power Factor Correction (PFC)

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

·FEATURES ·Drain Current –ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) : 9.1mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Ultra Low On-resistance ·

ISC

无锡固电

OptiMOS Power-Transistor

文件:160.78 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

文件:164.14 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

55 V、N沟道、6.3 mΩ(最大值)、汽车MOSFET、TO-220、OptiMOS ™

Infineon

英飞凌

20V-650V汽车级MOSFET

Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

文件:164.45 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

文件:161.43 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

55 V、N沟道、8.8 mΩ(最大值)、汽车MOSFET、TO-220、OptiMOS ™

Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

文件:161.41 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

文件:163.8 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

文件:160.94 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

文件:160.86 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.03426 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

OptiMOS Power-Transistor

文件:160.95 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

文件:162.97 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

文件:138.47 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

文件:161.22 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

IPP80N06S2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPP80N06S2

  • 功能描述

    MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 80A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-15 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
52000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
INFINEON
20+
TO-220
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
INFINEON
24+
TO-220
10000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
Infineon
25+
TO-TO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
Infineon(英飞凌)
23+
PG-TO220-3
19850
原装正品,假一赔十
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO220-3
25000
原装正品,假一赔十!
Infineon/英飞凌
21+
PG-TO220-3
6820
只做原装,质量保证
INFINEON
24+
TO-220
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售

IPP80N06S2数据表相关新闻

  • IPP65R190CFD 

    进口代理

    2023-12-7
  • IPQC60R010S7XTMA1

    IPQC60R010S7XTMA1

    2023-7-4
  • IPS1011SPBF

    原装正品现货

    2022-5-18
  • IPP65R110CFDA INFINEON/英飞凌 21+ TO-220

    https://hfx03.114ic.com/

    2022-2-19
  • IPP65R600C6优势原装Infineon局道

    IPP65R600C6 优势原装Infineon局道

    2019-3-27
  • IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关

    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。 特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位

    2012-11-14