位置:首页 > IC中文资料第11425页 > IPP80N06S2-09
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IPP80N06S2-09 | isc N-Channel MOSFET Transistor ·FEATURES ·Drain Current –ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) : 9.1mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Ultra Low On-resistance · | ISC 无锡固电 | ||
IPP80N06S2-09 | OptiMOS Power-Transistor 文件:161.43 Kbytes Page:8 Pages | Infineon 英飞凌 | ||
OptiMOS Power-Transistor 文件:161.43 Kbytes Page:8 Pages | Infineon 英飞凌 | |||
OptiMOS Power-Transistor 文件:316.23 Kbytes Page:8 Pages | Infineon 英飞凌 | |||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件:1.05695 Mbytes Page:9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |
IPP80N06S2-09产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPP80N06S2-09
- 功能描述
MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 80A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO220 |
52000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-220 |
8145 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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Infineon |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-220 |
5000 |
全新原装正品支持含税 |
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Infineon(英飞凌) |
2023+ |
PG-TO220-3 |
4550 |
全新原装正品 |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO220-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
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Infineon/英飞凌 |
2025+ |
PG-TO220-3 |
8000 |
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2012-11-14
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