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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
IPP80N06S2-09	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on):9.1mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance ·	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPP80N06S2-09	OptiMOSPower-Transistor 文件：161.43 Kbytes Page：8 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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SPB80N06S2-09	OptiMOSPower-Transistor 文件：316.23 Kbytes Page：8 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SPB80N06S2-09	N-Channel60V(D-S)MOSFET 文件：1.05695 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

IPP80N06S2-09供应商更多...

更新时间：2024-5-29 22:56:00

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IPP65R190CFD
进口代理
2023-12-7
IPQC60R010S7XTMA1
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2023-7-4
IPS1011SPBF
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2022-5-18
IPP65R110CFDA INFINEON/英飞凌 21+ TO-220
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2022-2-19
IPP65R600C6优势原装Infineon局道
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2019-3-27
IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位
2012-11-14