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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IPP80N06S2-H5 | OptiMOSPower-Transistor 文件:161.41 Kbytes Page:8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | ||
OptiMOSPower-Transistor 文件:161.41 Kbytes Page:8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | |||
OptiMOSPower-Transistor 文件:308.14 Kbytes Page:8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | |||
OptiMOSPower-Transistor 文件:308.14 Kbytes Page:8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | |||
N-Channel60V(D-S)MOSFET 文件:998.42 Kbytes Page:7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 |
IPP80N06S2-H5产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPP80N06S2-H5
- 功能描述
MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 80A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA/ |
25750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
Infineon |
TO-220 |
68900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
||||
INFINEON |
08+(pbfree) |
PG-TO220-3 |
8866 |
||||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-220 |
7793 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
VBsemi |
24+ |
TO220 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
Infineon |
17+ |
TO-220 |
6200 |
||||
Infineon |
23+ |
TO-TO-220 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
INFINEON |
23+ |
NA |
50 |
MOSFET |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220 |
20000 |
原装现货,实单支持 |
IPP80N06S2-H5规格书下载地址
IPP80N06S2-H5参数引脚图相关
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- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- isd1420
- irf630
- irf540n
- irf540
- ir2110
- ips面板
- IPS1011
- IPS042G
- IPS041L
- IPS032G
- IPS031S
- IPS031R
- IPS031G
- IPS031
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- IPS022G
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- IPS021L
- IPS021
- IPS0151
- IPRI6
- IPRI4
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- IPRI0
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原装正品现货
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IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位
2012-11-14
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