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位置：首页 > IC中文资料第11022页 > IPP65R600

IPP65R600价格

参考价格：￥4.9335

型号：IPP65R600E6 品牌：Infineon 备注：这里有IPP65R600多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IPP65R600批发/采购报价，IPP65R600行情走势销售排行榜，IPP65R600报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IPP65R600C6

650VCoolMOSC6PowerTransistor

Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easyto

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IPP65R600C6

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice p

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IPP65R600E6

650VCoolMOSE6PowerTransistor

Description CoolMOSTMisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSTMDEseriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresultin

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IPP65R600E6

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IPP65R600E6

MetallOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

文件：1.17442 Mbytes Page：18 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
BRD65R600C

N-CHANNEL650VSuper-JunctionPowerMOSFETinaTO-252PlasticPackage

文件：1.54648 Mbytes Page：9 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
BRF65R600C

N-CHANNEL650VSuper-JunctionPowerMOSFETinaTO-220FPlasticPackage

文件：1.67572 Mbytes Page：9 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
HCD65R600S

650VN-ChannelSuperJunctionMOSFET

文件：265.75 Kbytes Page：8 Pages

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

SEMIHOW
HCD65R600S

SuperiorAvalancheRuggedTechnology

文件：265.75 Kbytes Page：8 Pages

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

SEMIHOW
HCD65R600T

Extremelylowswitchingloss

文件：300.07 Kbytes Page：8 Pages

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

SEMIHOW

IPP65R600产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPP65R600

  • 功能描述

    MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IPP65R600供应商更多...

更新时间：2024-6-16 17:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科恒伟业电子有限公司
IPP65R600C6
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  • IPP65R110CFDA INFINEON/英飞凌 21+ TO-220

    https://hfx03.114ic.com/

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    IPP65R600C6优势原装Infineon局道

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  • IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关

    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位

    2012-11-14

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