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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IPP080N03L | iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：338.22 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
OptiMOS??Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated •Pb-freeplating;Ro | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
OptiMOS??Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated •Pb-freeplating;Ro | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
OptiMOS??Power-MOSFET Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel;Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •Avalanc | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
OptiMOS??Power-MOSFET Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel;Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •Avalanc | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
SynchronousBuckController GENERALDESCRIPTION TheADP1878/ADP1879areversatilecurrent-mode,synchronousstep-downcontrollers.Theyprovidesuperiortransientresponse,optimalstability,andcurrent-limitprotectionbyusingaconstantontime,pseudofixedfrequencywithaprogrammablecurrent-limit,currentcontrols | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 |  | | |
OptiMOS??Power-MOSFET 文件：390.65 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IPP080N03L产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPP080N03L
- 功能描述
MOSFET OptiMOS 3 PWR-TRANS N-CH 30V 50A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO220-3 |
10000 |
公司只做原装正品 |
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Infineon |
22+ |
TO220-3 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
TO-220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
INFINEON/英飞凌 |
21+23+ |
TO-220 |
22800 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
InfineonTechnologies |
2019+ |
TO-220-3 |
65500 |
原装正品货到付款,价格优势! |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
20000 |
全新、原装、现货 |
||||
Infineon |
22+ |
TO220-3 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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2013-2-19
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