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IPP05N03LA	OptiMOS2Power-Transistor 文件：348.03 Kbytes Page：10 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPP05N03LA	OptiMOS2Power-Transistor 文件：348.09 Kbytes Page：10 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
05N03LAG	OptiMOS짰2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScomp	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
EMB05N03HR	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)5.0mΩ ID75A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司
05N03L	OptiMOSBuckconverterseries 文件：449.64 Kbytes Page：8 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
05N03LA	N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.68918 Mbytes Page：7 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
EMB05N03GH	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor 文件：188.48 Kbytes Page：5 Pages	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司

IPP05N03LA产品属性

类型
描述
型号
IPP05N03LA
功能描述
MOSFET N-CH 25V 80A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2024-5-16 18:46:00

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描述该IPM6220提供了一个高度集成的功率控制和五个输出电压保护解决方案提供所需的高性能笔记本电脑的应用程序。该IC集成三个固定频率脉宽调制（PWM）控制器和两个沿监测和线性稳压器保护电路到一个24引脚SSOP封装。两个PWM控制器，调节系统的主要5V的和3.3V电压实施synchronousrectified降压转换器。同步整流和在轻负载时滞后有助于高效率的运作在输入电压和负载变化范围广。效率得到进一步增强，使用较低的MOSFET的的RDS（ON）作为电流检测元件。输入电压前馈坡道调制，电流模式控制，内部反馈补偿提供快速，稳定的处理负载瞬态输入电压中遇到的先进便携式计算
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精密双PWM控制器和线性稳压器，用于笔记本的CPU该IPM6210是一个高度集成的电源控制器，提供完整的电源管理解决方案为移动的CPU。该IC集成了两个PWM控制器和一个线性稳压器以及监测和保护电路成单28引线塑料SSOP封装。两个PWM控制器调节微处理器核心和I/O同步整流降压转换器的电压，而线性稳压器列强的CPU时钟。该IPM6210包括5位数字至模拟转换器（发援会），调整为核心的PWM输出电压0.925VDC至2.0VDC，符合英特尔移动的VID规范。该DAC的设置过程中可能会更改操作，以适应双模式处理器。特别采取措施提供了这样的转型
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