IPD80N04S3价格

参考价格:¥3.6077

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

·FEATURES ·Drain Current –ID= 90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) : 5.2mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Ultra Low On-resistance ·F

ISC

无锡固电

40 V、N沟道、5.2 mΩ(最大值)、汽车MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T

Infineon

英飞凌

OptiMOS-T Power-Transistor

文件:190.29 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD80N04S3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD80N04S3

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-27 14:08:00
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