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IPD65R400CE

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

CoolMOS™CE适用于硬开关应用和软开关应用,作为现代超结,它可以提供低导通和低开关损耗,进而提高效率并最终降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS™CE 结合了最佳的 RDS (on)和封装,适用于手机和平板电脑的低功耗充电器。 • 典型 R DS (on) 和最大 R DS (on) 之间的边距较窄\n• 减少了储存在输出电容中的能量 (Eoss)\n• 体二极管稳健性良好,反向恢复电荷(Q rr)较低\n• 经过优化的集成 Rg\n\n优势:\n• 低通态损耗\n• 低开关损耗\n• 兼适于硬开关和软开关\n• 易掌控的转换行为\n• 提高效率,进而降低功耗\n• 减轻设计工作量\n• 使用简便;

INFINEON

英飞凌

IPD65R400CE

650V CoolMOS짧 CE Power Transistor

文件:1.10068 Mbytes Page:15 Pages

INFINEON

英飞凌

IPD65R400CE

650V CoolMOS짧 CE Power Transistor

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INFINEON

英飞凌

IPD65R400CE

N-Channel MOSFET Transistor

文件:336.19 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

650V CoolMOS??CE Power Transistor

650V CoolMOS™ CE Power Transistor Applications    PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages    for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV and indoor Lighting

INFINEON

英飞凌

丝印代码:DPAK;N-Channel MOSFET Transistor

文件:336.19 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

IPD65R400CE产品属性

  • 类型

    描述

  • OPN:

    IPD65R400CEAUMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO252-3

  • VDS max:

    650 V

  • RDS (on) @10V max:

    400 mΩ

  • ID @25°C max:

    15.1 A

  • QG typ @10V:

    39 nC

  • Special Features:

    price/performance

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • VGS(th) min:

    2.5 V

  • VGS(th) max:

    3.5 V

  • Technology:

    CoolMOS™ CE

更新时间:2026-5-24 23:44:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
25+
PG-TO252-3
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
Infineon(英飞凌)
25+
TO-252-3
18798
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
INFINEO
24+
TO-252
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
INFINEON/英飞凌
2450+
TO-252
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
Infineon
25+
PG-TO252-3
15500
英飞凌优势渠道全系列在售
INFINEON/英飞凌
22+
明嘉莱只做原装正品现货
2510000
TO-252-3
Infineon(英飞凌)
25+
TO-252-3
18798
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
Infineon/英飞凌
21+
PG-TO252-3
6820
只做原装,质量保证
Infineon
25+
PG-TO252-3
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
Infineon/英飞凌
25+
原厂封装
10280
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!

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