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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPD50N06S3L-08 | OptiMOS-T Power-Transistor 文件：164.37 Kbytes Page：9 Pages | INFINEON 英飞凌 |   |
IPD50N06S3L-08产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPD50N06S3L-08
- 功能描述
MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 7.8mOhms
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2026-3-2 17:48:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEO |
21+ |
TO-252 |
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INFINEON |
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TO-252 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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INFINEON |
24+ |
PG-TO252-3D-PAK(TO |
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INFINEON |
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TO-252 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-252 |
2500 |
全新原装正品支持含税 |
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Infineon(英飞凌) |
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PG-TO252-3 |
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INFINEON |
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TO-252 |
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2022-4-8
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