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IPD50N06S3L-08中文资料

厂家型号

IPD50N06S3L-08

文件大小

164.37Kbytes

页面数量

9

功能描述

OptiMOS-T Power-Transistor

MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 7.8mOhms

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPD50N06S3L-08产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD50N06S3L-08

  • 功能描述

    MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 7.8mOhms

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-27 14:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
17+
PG-TO252-3D-PAK(TO25
31518
原装正品 可含税交易
Infineon(英飞凌)
24+
TO-252
7793
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
INFINEON
24+
PG-TO252-3D-PAK(TO
8866
INFINEON
23+
TO-252
8000
专注配单,只做原装进口现货
INFINEON
23+
TO-252
7000
INFINEON/英飞凌
22+
PG-TO252-3D-PAK(TO25
14792
INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
60000
Infineon(英飞凌)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
INFINEON/英飞凌
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税