IPD50N06S4L-08 TO252贴片场效应管60V 50A

时间:2022-4-27 11:50:00

IPD50N06S4L-08

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 64 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 71 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 8 ns

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 2 ns

系列: OptiMOS-T2

2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 45 ns

典型接通延迟时间: 9 ns

宽度: 6.22 mm

零件号别名: IPD5N6S4L8XT SP000374322 IPD50N06S4L08ATMA1

单位重量: 330 mg

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

OptiMOS-T2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

2026-1-1 13:01:00
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