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位置：首页 > IC中文资料第3113页 > IPD180N10N

IPD180N10N价格

参考价格：￥3.3175

型号：IPD180N10N3G 品牌：Infineon 备注：这里有IPD180N10N多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IPD180N10N批发/采购报价，IPD180N10N行情走势销售排行榜，IPD180N10N报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IPD180N10N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitch

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IPD180N10N3

N-ChannelMOSFETTransistor

文件：336.12 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IPD180N10N3G

N-channel,normallevel

文件：511.78 Kbytes Page：9 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IPD180N10N3G_14

N-channel,normallevel

文件：511.78 Kbytes Page：9 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
180N10N

OptiMOSTM3Power-Transistor

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
180N10B

N-ChannelPowerMOSFET

文件：595.58 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
FIR180N10PG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

文件：3.98832 Mbytes Page：7 Pages

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

FOSTER
FIR180N10RG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

文件：3.65918 Mbytes Page：7 Pages

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

FOSTER
HRD180N10K

SuperiorAvalancheRuggedTechnology

文件：989.45 Kbytes Page：9 Pages

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

SEMIHOW

IPD180N10N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD180N10N

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    OptiMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IPD180N10N供应商更多...

更新时间：2024-5-18 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市金芯世纪电子有限公司
IPD180N10N3G
INFINEON/英飞凌
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TO-263
100000
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瀚佳科技(深圳)有限公司
IPD180N10N3G
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IPD180N10N3G
INFINEON/英飞凌
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NA
860000
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深圳市威雅利发展有限公司
IPD180N10N3G
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司
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INFINEON
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TO-252
45000
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深圳市星辰微电科技有限公司
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INFINEON
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英飞凌MOS管全系列在售,终端可供样品
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深圳市星宇佳科技有限公司
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INFINEON/英飞凌
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TO-252
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司
IPD180N10N3G
INFINEON
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深圳市汇莱威科技有限公司
IPD180N10N3G
INFINEON/英飞凌
TO252
7906200
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深圳市宇集芯电子有限公司
IPD180N10N3G
INFINOEN
23+
TO-252-3
90000
一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
询价

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