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25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@30A=9mΩ • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ • Advanced trench process technology • High Density Cell Design For Uitra Low On-Resistance • Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

PANJIT

強茂

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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微碧半导体

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更新时间:2025-9-30 22:59:03
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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