型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IPB091N06NG

OptiMOS짰 Power-Transistor

文件:446.08 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS짰 Power-Transistor

文件:446.08 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPB091N06NG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPB091N06NG

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-19 9:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
2012+
TO-263
12000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
INFINEON
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
INFINEON/英飞凌
24+
TO-263
30000
只做正品原装现货
ON/安森美
23+
TO-220
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
INF
23+
SOT263
7000
INFINEON/英飞凌
2223+
TO-263
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
INFINEON/英飞凌
22+
TO-263
92662
INFINEON
24+
TO-263
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
INFINE0N
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
2017+
NA
28562
只做原装正品假一赔十!

IPB091N06NG数据表相关新闻