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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IPB06N03LB | OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：279.42 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IPB06N03LB | OptiMOS®2 Power-Transistor | Infineon 英飞凌 | | |
25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：143.59 Kbytes Page：4 Pages | PANJIT 強茂 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.68919 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
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N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET 文件：1.46972 Mbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
IPB06N03LB产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB06N03LB
- 功能描述
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
OptiMOS™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263 |
32000 |
INFINEON/英飞凌全新特价IPB06N03LBG即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
TO-263 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263 |
20000 |
只做原装正品 |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
D2PAK(TO-263AB) |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2223+ |
TO-263 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
INFINEON |
24+ |
D2PAK(TO-263) |
8866 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
60100 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
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IPB06N03LB规格书下载地址
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2019-3-27
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