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IPB048N15N5

OptiMOS짧5 Power-Transistor, 150 V

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Infineon

英飞凌

IPB048N15N5

N 沟道功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

结合低 RDS(on) 与宽安全工作区 (SOA)

Infineon

英飞凌

OptiMOSTM 5 Linear FET, 150 V

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Infineon

英飞凌

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:323.15 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

OptiMOSTM 5 Linear FET, 150 V

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-15 19:43:00
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