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IPB034N03L-G | OptiMOS??Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated •Pb-freeplating;Ro | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
OptiMOS??Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated •Pb-freeplating;Ro | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
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OptiMOS??Power-MOSFET Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel;Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •Avalanc | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：338.34 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO263 |
7350 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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Infineon(英飞凌) |
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INFINEON-英飞凌 |
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TO-263-3 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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Infineon(英飞凌) |
2021/2022+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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Infineon(英飞凌) |
22+ |
NA |
7000 |
原厂原装现货 |
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INFINEON |
22+ |
TO-263 |
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原装正品 假一罚十 公司现货 |
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原装正品现货
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只做原装支持实单价格优势有单必成
2022-5-12IPB025N10N3G 场效应管IC芯片 丝印025N10N TO-263
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IPB042N10N3G，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
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2019-3-27
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