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IPB029N06N3价格
参考价格：￥6.2258
型号：IPB029N06N3G 品牌：Infineon 备注：这里有IPB029N06N3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IPB029N06N3批发/采购报价，IPB029N06N3行情走势销售排行榜，IPB029N06N3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPB029N06N3 | Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.87 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.9mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- | ISC 无锡固电 | | ||
N 沟道功率 MOSFET | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS?? Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. 文件：483.4 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS?? Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. 文件：483.4 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | |
IPB029N06N3产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB029N06N3
- 功能描述
MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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Infineon Technologies |
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
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Infineon(英飞凌) |
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新到现货,只做原装进口 |
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INFINEON/英飞凌 |
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15000 |
全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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INFINEON |
23+ |
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专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
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INFINEON TECHNOLOGIES AG |
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SMD |
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IPB042N10N3G，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-29
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