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INFINEON
D2PAK-7

ETC

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相关企业:天津市博通航睿技术有限公司

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IPB025N10N3GE818XT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPB025N10N3GE818XT

  • 功能描述

    MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-20 11:39:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
Infineon/英飞凌
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