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IPB015N04N价格
参考价格：￥10.1913
型号：IPB015N04NG 品牌：Infineon 备注：这里有IPB015N04N多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IPB015N04N批发/采购报价，IPB015N04N行情走势销售排行榜，IPB015N04N报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPB015N04N | N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·AutomaticTestEquipment ·CurrentRegulators ·DCChoppers | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
IPB015N04N | IscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：299.07 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
OptiMOS??Power-Transistor OptiMOS™3Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •100Avala | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  | | |
MOSFETSiliconN-ChannelMOS Applications Single-endedflybackortwo-transistorforwardtopologies. PCpower,PDAdaptor,LCD&PDPTVandLEDlighting. Features Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.2mΩ(typ.) EasytocontrolGateswitching Enhancementmode:Vth=2.5to4.5V | SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司 |  | | |
MOSFETSiliconN-ChannelMOS Applications Single-endedflybackortwo-transistorforwardtopologies. PCpower,PDAdaptor,LCD&PDPTVandLEDlighting. Features Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.2mΩ(typ.) EasytocontrolGateswitching Enhancementmode:Vth=2.5to4.5V | SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司 | | | |
MOSFETSiliconN-ChannelMOS Applications Single-endedflybackortwo-transistorforwardtopologies. PCpower,PDAdaptor,LCD&PDPTVandLEDlighting. Features Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.2mΩ(typ.) EasytocontrolGateswitching Enhancementmode:Vth=2.5to4.5V | SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司 | | | |
NewProducts,TipsandToolsforPowerandMobileApplications 文件：3.23672 Mbytes Page：12 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：337.1 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
IPB015N04N产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB015N04N
- 功能描述
MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 120A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
Infineon(英飞凌) |
2511 |
标准封装 |
7000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
D2PAK(TO263) |
32365 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
24+ |
N/A |
53000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
2974 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO263 |
11220 |
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。 |
|||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
TO-263-2 |
315000 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
IPB015N04N芯片相关品牌
IPB015N04N规格书下载地址
IPB015N04N参数引脚图相关
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IPB015N04N数据表相关新闻
IPB015N08N5ATMA1只有原装现货
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2023-5-20IPB011N04L G
优势渠道
2023-3-24IPA60R180P7S
IPA60R180P7S
2022-7-22IPB025N10N3G 原厂原装 正品现货MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
只做原装支持实单价格优势有单必成
2022-5-12IPB025N10N3G 场效应管IC芯片 丝印025N10N TO-263
IPB025N10N3G
2022-4-27IPA80R280P7原装现货
IPA80R280P7原装正品
2021-8-10
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