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IMBG120R045M1H

CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFETwith .XT interconnection technology

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CoolSiC ™ 1200 V SiC 沟槽MOSFET,采用TO-263-7封装

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CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

Features  Very low switching losses  Threshold-free on state characteristic  Wide gate-source voltage range  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V  0V turn-off gate voltage  Fully controllable dv/dt  Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification  Eas

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CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

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更新时间:2025-11-18 17:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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PG-TO263-7
1000
22+
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PG-TO263-7
39500
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原厂正品现货供应SIC全系列
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