型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IKD03N60RFA

Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses

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Infineon

英飞凌

IKD03N60RFA

Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses

Infineon

英飞凌

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.3Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve

ISC

无锡固电

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

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Infineon

英飞凌

Power MOSFET

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JIANGSU

长电科技

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures

文件:580.87 Kbytes Page:5 Pages

Fuji

富士通

IKD03N60RFA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IKD03N60RFA

  • 制造商

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    IGBT PRODUCTS - Tape and Reel

  • 制造商

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A

更新时间:2025-10-5 16:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
21+
TO-252-2(DPAK)
6820
只做原装,质量保证
INFINEON
23+
TO-252
8000
原装正品,假一罚十
Infineon/英飞凌
25+
原厂封装
10280
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
Infineon Technologies
23+
TO2523
9000
原装正品,支持实单
INFINEON
23+
7000
Infineon(英飞凌)
2447
TO-252-2(DPAK)
105000
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
Infineon/英飞凌
24+
TO-252-2(DPAK)
25000
原装正品,假一赔十!
Infineon/英飞凌
2023+
TO-252-2(DPAK)
6000
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供
INFINEON
24+
con
10000
查现货到京北通宇商城
Infineon Technologies
21+
PG-TO252-3
2500
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!

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  • IKD06N60RF

    类别:分离式半导体产品家庭:IGBT - 单路系列:TrenchStop?IGBT 类型:沟道电压 - 集电极发射极击穿(最大):600VVge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,6A电流 - 集电极 (Ic)(最大):12A功率 - 最大:100W输入类型:标准型安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装:PG-TO

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