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IGW30N60TP

TRENCHSTOPTM Performance technology

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Infineon

英飞凌

IGW30N60TP

采用 TO-247 封装的 600 V、30 A IGBT

Infineon

英飞凌

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris

Bourns

伯恩斯

Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode

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Infineon

英飞凌

ACTIVE / SYNCHRONOUS RECTIFIER

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DIODES

美台半导体

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

罡境电子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

罡境电子

更新时间:2025-12-28 23:37:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO247-3
25000
原装正品,假一赔十!
Infineon(英飞凌)
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TO-247
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Infineon(英飞凌)
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原装现货支持BOM配单服务
Infineon/英飞凌
21+
PG-TO247-3
6820
只做原装,质量保证
三年内
1983
只做原装正品
Infineon(英飞凌)
2447
PG-TO247-3
115000
240个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
Infineon Technologies
23+
原装
7000
Infineon(英飞凌)
25+
TO-247-3
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
Infineon
24+
NA
3447
进口原装正品优势供应

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