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位置：首页 > IC中文资料第5131页 > IDT71V67603S133BQ

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IDT71V67603S133BQG

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

文件：986.08 Kbytes Page：23 Pages

IDT

IDT71V67603S133BQGI

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

文件：986.08 Kbytes Page：23 Pages

IDT

71V67603S133BG

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports high system speed: – 166MHz 3.5ns clock access time – 150MHz 3.8ns clock access time – 133MHz 4.2ns clock access time ◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx) ◆ L

RENESAS

瑞萨

71V67603S133BGG

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports high system speed: – 166MHz 3.5ns clock access time – 150MHz 3.8ns clock access time – 133MHz 4.2ns clock access time ◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx) ◆ L

RENESAS

瑞萨

71V67603S133BGGI

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports high system speed: – 166MHz 3.5ns clock access time – 150MHz 3.8ns clock access time – 133MHz 4.2ns clock access time ◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx) ◆ L

RENESAS

瑞萨

71V67603S133BGI

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports high system speed: – 166MHz 3.5ns clock access time – 150MHz 3.8ns clock access time – 133MHz 4.2ns clock access time ◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx) ◆ L

RENESAS

瑞萨

71V67603S133BQ

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports high system speed: – 166MHz 3.5ns clock access time – 150MHz 3.8ns clock access time – 133MHz 4.2ns clock access time ◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx) ◆ L

RENESAS

瑞萨

IDT71V67603S133BQ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71V67603S133BQ

  • 功能描述

    IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    72

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 同步

  • 存储容量

    9M（256K x 36）

  • 速度

    75ns

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    3.135 V ~ 3.465 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    100-LQFP

  • 供应商设备封装

    100-TQFP（14x14）

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    71V67703S75PFGI

IDT71V67603S133BQ供应商更多...

更新时间：2025-11-22 19:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威雅利发展有限公司
IDT71V67603S133BQGI
IDT
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