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芯片资料

精确

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厂家型号	71V67603S133BG
文件大小	302.92Kbytes
页面数量	23页
功能描述	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	RENESAS

Features

◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆ Supports high system speed:

– 166MHz 3.5ns clock access time

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆ 3.3V core power supply

◆ Power down controlled by ZZ input

◆ 3.3V I/O supply (VDDQ)

◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch

ball grid array (fBGA).

71V67603S133BG供应商...

更新时间：2026-3-6 10:46:00

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