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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IDT71V35761YSA200BQI | 128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 |  |   |
IDT71V35761YSA200BQI | 封装/外壳：165-TBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 集成电路（IC） 存储器 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
封装/外壳：165-TBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 集成电路（IC） 存储器 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | | | |
128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | | | |
128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | | | |
128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | | |
IDT71V35761YSA200BQI产品属性
- 类型
描述
- 型号
IDT71V35761YSA200BQI
- 功能描述
IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
-
- 标准包装
576
- 系列
- 格式 -
- 存储器
闪存
- 存储器类型
闪存 - NAND
- 存储容量
512M（64M x 8）
- 速度
-
- 接口
并联
- 电源电压
2.7 V ~ 3.6 V
- 工作温度
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳
48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商设备封装
48-TSOP
- 包装
托盘
- 其它名称
497-5040
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
22+ |
QFP |
680 |
原装现货热卖中,提供一站式真芯服务 |
|||
IDT |
23+ |
165CABGA (13x15) |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IDT |
23+ |
165FPBGA |
9526 |
||||
idt |
ROHS |
13352 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
IDT |
22+ |
BGA |
2987 |
绝对全新原装现货供应! |
|||
IDT |
01+ |
QFP |
56 |
||||
IDT |
23+ |
165-CABGA(13x15) |
36430 |
专业分销产品!原装正品!价格优势! |
|||
IDT |
2022 |
QFP |
8800 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
|||
IDT |
22+ |
BGA |
5000 |
全新原装现货!自家库存! |
|||
IDT |
21+ |
165CABGA (13x15) |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
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- IDT71V3576S133PFI8
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- IDT71V3576S133PFGI8
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2020-4-20
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