型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 包装:管件 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 集成电路(IC) 存储器

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CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout Equal access and cycle times

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IDT

CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout

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IDT

CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout

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IDT

CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout

Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise. ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 12/15/20ns – Industrial: 15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional inputs and outputs directly

RENESAS

瑞萨

IDT71124S12YG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71124S12YG

  • 功能描述

    IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    闪存

  • 存储器类型

    闪存 - NAND

  • 存储容量

    4G(256M x 16)

  • 速度

    -

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳

    48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)

  • 供应商设备封装

    48-TSOP I

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    557-1461-6

更新时间:2025-11-23 9:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IDT, Integrated Device Technol
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