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IDT71124S12Y

CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout

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IDT

IDT71124S12Y

封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout Equal access and cycle times

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IDT

CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout

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IDT

CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout

Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise. ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 12/15/20ns – Industrial: 15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional inputs and outputs directly

RENESAS

瑞萨

IDT71124S12Y产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71124S12Y

  • 功能描述

    IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 产品变化通告

    Product Discontinuation 26/Apr/2010

  • 标准包装

    136

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 同步,DDR II

  • 存储容量

    18M(1M x 18)

  • 速度

    200MHz

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 工作温度

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳

    165-TBGA

  • 供应商设备封装

    165-CABGA(13x15)

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    71P71804S200BQ

更新时间:2025-11-18 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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