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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HIGH-SPEED3.3V256/128Kx18SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode –DuetolimitedpincountP | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   | |
HIGH-SPEED3.3V256/128Kx18SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode –DuetolimitedpincountP | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
HIGH-SPEED3.3V256/128Kx18SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM 文件：236.25 Kbytes Page：23 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 |  | | |
HIGH-SPEEDSYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM 文件：259.769 Kbytes Page：23 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | | | |
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IDT70V3319S166BFG产品属性
- 类型
描述
- 型号
IDT70V3319S166BFG
- 功能描述
IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA
- RoHS
是
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
-
- 标准包装
3,000
- 系列
- 格式 -
- 存储器
EEPROMs - 串行
- 存储器类型
EEPROM
- 存储容量
8K(1K x 8)
- 速度
400kHz
- 接口
I²C，2 线串口
- 电源电压
1.7 V ~ 5.5 V
- 工作温度
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装
8-SOIC
- 包装
带卷(TR)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
CABGA256(17x17) |
6000 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
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RENESAS(瑞萨) |
23+ |
256-CABGA (17.00L X 17.00W X 1 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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2019-11-21
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