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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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70V3319S166BC | HIGH-SPEED3.3V256/128Kx18SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode –DuetolimitedpincountP | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
70V3319S166BC | 封装/外壳：256-LBGA 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA 集成电路（IC） 存储器 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
HIGH-SPEED3.3V256/128Kx18SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode –DuetolimitedpincountP | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
HIGH-SPEED3.3V256/128Kx18SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode –DuetolimitedpincountP | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
HIGH-SPEED3.3V256/128Kx18SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM 文件：236.25 Kbytes Page：23 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 |  | | |
HIGH-SPEEDSYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM 文件：259.769 Kbytes Page：23 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | | | |
封装/外壳：256-LBGA 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA 集成电路（IC） 存储器 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
2021+ |
CABGA-256(17x17) |
499 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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CABGA256(17x17) |
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一级代理放心采购 |
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正品专卖,进口原装深圳现货 |
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IDT, Integrated Device Technol |
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256-CABGA(17x17) |
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Renesas |
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2020-10-217116-1546-02优势订货，全新原装
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2020-9-2
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