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IDK06G65C5	650VSiCthinQ!??Generation5diodes Features ■V₂at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (₁175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ☐10yearsmanufacturingof	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IDK06G65C5	SiliconCarbideDiode 文件：1.16193 Mbytes Page：11 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IDK06G65C5_13	SiliconCarbideDiode 文件：1.16193 Mbytes Page：11 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IDK06G65C5XTMA1	封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：散装描述：DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO263-2 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IDK06G65C5XTMA2	封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件描述：DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO263-2 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IDH06G65C5	650VSiCthinQ!??Generation5diodes Features ■V₂at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (₁175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ☐10yearsmanufacturingof	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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IDL06G65C5	SiliconCarbideDiode 文件：727.29 Kbytes Page：11 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

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更新时间：2024-5-18 20:00:00

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2019-11-21
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