IDH04SG60C

时间:2023-4-12 16:16:00

IDH04SG60C

额定功率43 W

负载电流4 A

正向电压2.3V @4A

耗散功率43 W

热阻3.5℃/W (RθJC)

反向恢复时间0 ns

正向电流4 A

最大正向浪涌电流(Ifsm)18 A

正向电压(Max)2.3V @4A

工作温度(Max)175 ℃

工作温度(Min)-55 ℃

工作结温(Max)175 ℃

封装参数

安装方式Through Hole

引脚数2

封装TO-220-2

外形尺寸

长度10.2 mm

宽度4.5 mm

高度9.45 mm

封装TO-220-2

物理参数

工作温度-55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期Active

包装方式Tube

符合标准

RoHS标准RoHS Compliant

含铅标准Lead Free

REACH SVHC标准No SVHC

REACH SVHC版本2015/12/17

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

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Infineon
2024-4-27 17:29:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
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英飞凌 | Infineon
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