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位置：首页 > IC中文资料第9742页 > IDC08S60CE

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDC08S60CE

2ndgenerationthinQ!TMSiCSchottkyDiode

2ndgenerationthinQ!™SiCSchottkyDiode Features: ●RevolutionarySemiconductorMaterial- SiliconCarbide ●SwitchingBehaviourBenchmark ●NoReverseRecovery/NoForward Recovery ●TemperatureIndependentSwitching Behaviour ●QualifiedAccordingtoJEDEC1)Basedon Tar

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IDC08S60CEX1SA3

封装/外壳：模具 包装：散装 描述：DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IDC08S60CEX7SA1

封装/外壳：模具 包装：散装 描述：DIODE GEN PURPOSE SAWN WAFER 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
F08S60SN

8A,600VSTEALTHTMIIRectifier

8A,600VSTEALTHTMIIRectifier TheFFP08S60SNisSTEALTHTMIIrectifierwithsoftrecoverycharacteristics.Itissiliconnitridepassivatedion-implantedepitaxialplanarconstruction. Thisdeviceisintendedforuseasfreewheelingofboostdiodeinswitchingpowersuppliesandotherpowersw

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FFP08S60S

Stealth2Rectifier

TheFFP08S60SisSTEALTHTMIIrectifierwithsoftrecoverycharacteristics.Itissiliconnitridepassivatedion-implantedepitaxialplanarconstruction. Thisdeviceisintendedforuseasfreewheelingofboostdiodeinswitchingpowersuppliesandotherpowerswithchingapplications.Theirlow

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
F08S60S

8Ampere,600VoltSingleSurfaceMountTypeStealth2FastRecoveryDiode

文件：848.86 Kbytes Page：3 Pages

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半导体思祁半导体有限公司

THINKISEMI
FFD08S60S

STEALTHTMIIRectifier8A,600VStealth2Rectifier

文件：498.13 Kbytes Page：5 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FFP08S60S

PowerFactorCorrectionConverterDesign

文件：682.46 Kbytes Page：15 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

IDC08S60CE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDC08S60CE

  • 功能描述

    肖特基二极管与整流器 SiC Schottky Diode 600V 8A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 产品

    Schottky Diodes

  • 峰值反向电压

    2 V

  • 正向连续电流

    50 mA

  • 配置

    Crossover Quad

  • 正向电压下降

    370 mV

  • 最大功率耗散

    75 mW

  • 工作温度范围

    - 65 C to + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-143

  • 封装

    Reel

IDC08S60CE供应商更多...

更新时间：2024-6-6 10:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市恒佳微电子有限公司
IDC10D120T6MX1SA1
INFINEON/英飞凌
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