| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
I2N60 | 丝印代码：I2N60；2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.40358 Mbytes Page：13 Pages | WXDH 东海半导体 |   | |
I2N60 | 丝印代码：I2N60；2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.3597 Mbytes Page：13 Pages | WXDH 东海半导体 | | |
I2N60 | 丝印代码：I2N60；2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.3527 Mbytes Page：13 Pages | WXDH 东海半导体 | | |
I2N60 | 丝印代码：I2N60；2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.34768 Mbytes Page：13 Pages | WXDH 东海半导体 | | |
I2N60 | 丝印代码：I2N60；2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.34834 Mbytes Page：13 Pages | WXDH 东海半导体 | | |
I2N60 | 丝印代码：I2N60；2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.34734 Mbytes Page：13 Pages | WXDH 东海半导体 | | |
I2N60 | N-Channel Power MOSFET 文件：356.07 Kbytes Page：7 Pages | NELLSEMI 尼尔半导体 | | |
I2N60 | ≥600V MOSFET | WXDH 东海半导体 | | |
TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS TMOS E-FET™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand h | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS TMOS E-FET™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand h | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
PowerMOS transistors Avalanche energy rated GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhancement mode field-effect power transistor, intended for use in off-line switched mode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits and general purpose switching applications. The PHP2N60E is supplied | PHILIPS 飞利浦 | | ||
PowerMOS transistors Avalanche energy rated GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhancement mode field-effect power transistor, intended for use in off-line switched mode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits and general purpose switching applications. The PHP2N60E is supplied | PHILIPS 飞利浦 | | ||
TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS 文件：271.17 Kbytes Page：10 Pages | MOTOROLA 摩托罗拉 | |
I2N60产品属性
- 类型
描述
- P tot：
35
- I D：
2
- B VDSS：
600
- B VGSS：
30
- V TH：
2
- RDS(on)：
4
- EAS：
64
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AO/万代 |
23+ |
TO-220F |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
AO/万代 |
23+ |
TO-251 |
8400 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
AO/万代 |
22+ |
TO-251 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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IAM-20680HT
进口代理
2024-1-17i7C4W012A050V-0F1-R
优势渠道
2023-9-4IAM-20680HP
IAM-20680HP
2020-12-24I/O连接器10120666-101LF原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
2019-12-11I/O连接器10120666-301LF原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
2019-12-11I/O连接器10120818-001C-TRLF原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
2019-12-11
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