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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
HX2N60

N-Channel MOSFET

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SIPOWER

HX2N60

MOSFET

SIPOWER

HX2N60L-TA3-T

N-Channel MOSFET

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SIPOWER

HX2N60L-TF3-T

N-Channel MOSFET

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SIPOWER

HX2N60L-TM3-T

N-Channel MOSFET

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SIPOWER

HX2N60L-TN3-R

N-Channel MOSFET

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SIPOWER

HX2N60L-TN3-T

N-Channel MOSFET

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HX2N60-TA3-T

N-Channel MOSFET

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HX2N60-TF3-T

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HX2N60-TM3-T

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N-Channel MOSFET

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SIPOWER

HX2N60-TN3-T

N-Channel MOSFET

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SIPOWER

2N60

2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION The UTC 2N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in

UTC

友顺

2N60

2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

The UTC 2N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power upplies, PWM

UTC

友顺

2N60

N2 Amps竊?00Volts N-Channel MOSFET

Description The ET2N60 N-Ceannel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. Features ● RDS(ON) = 5.00Ω@VGS = 10 V ● Low gate charge

ESTEK

伊泰克电子

2N60

600V N-Channel Power MOSFET

Features ● RDS(ON)

DYELEC

迪一电子

2N60

2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.34834 Mbytes Page：13 Pages

WXDH

东海半导体

HX2N60供应商更多...

更新时间：2025-12-27 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
HX3000
HXHD
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HX30001-10Abk
24+
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