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Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAON3814usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswi

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更新时间:2024-10-31 23:36:01
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