| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
4 Amps, 650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N65 is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristic. This power MOSFETis usually used in high speed switching applications includ | UTC 友顺 | |||
Drain Current ID= 4A@ TC=25C 文件:136.78 Kbytes Page:2 Pages | ISC 无锡固电 | |||
Power MOSFET 文件:1.07616 Mbytes Page:9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件:607.6 Kbytes Page:7 Pages | ZSELEC 淄博圣诺 | |||
650V N-Channel Power MOSFET 文件:2.82624 Mbytes Page:10 Pages | DYELEC 迪一电子 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
长电 |
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深爱/美格纳/华微 |
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2021-2-16HSF-48-19-BF
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双抗辐射,非反相功率MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4424RH和HS -4424BRH是非相,双,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协,4
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2013-1-28
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