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HSC226价格
参考价格：￥0.1950
型号：HSC226TRF 品牌：HITACHI 备注：这里有HSC226多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，HSC226批发/采购报价，HSC226行情走势销售排行榜，HSC226报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HSC226 | Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching Features • Low reverse current, Low capacitance. • Ultra small Flat Lead Package (UFP) is suitable for surface mount design. | RENESAS 瑞萨 |   | |
HSC226 | Silicon Schottky Barrier Diode Features • Low reverse current, Low capacitance. • Ultra small Flat Package (UFP) is suitable for surface mount design. | KEXIN 科信电子 | | |
HSC226 | SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE Features • Low reverse current, low capacitance • Ultra small flat package is suitable for surface mount design | SEMTECH_ELEC 先之科半导体 | | |
HSC226 | Silicon Schottky Barrier Diode Features • Low reverse current, Low capacitance. • Ultra small Flat Package (UFP) is suitable for surface mount design. | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | |
HSC226 | Low Forward Voltage Drop, Guard Ring Constrcition For Transient FEATURES Low Forward Voltage Drop. Guard Ring Construction For Transient Protection. Negligible Reverse Recovery Time. Low Reverse Capacitance. APPLICATIONS Schotty barrier switching. | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司 | | |
HSC226 | Silicon Schottky Barrier Diode | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | |
HSC226 | Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching | RENESAS 瑞萨 | | |
HSC226 | 肖特基二极管 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
3M??Scotch짰 Solvent Resistant Masking Tape 226 文件：570.33 Kbytes Page：6 Pages | 3M | | ||
Axial Lead and Cartridge Fuses - Designed to IEC Standard 文件：90.53 Kbytes Page：1 Pages | Littelfuse 力特 | | ||
Direct pressure measurement is not affected by gas composition 文件：236.29 Kbytes Page：4 Pages | MKS | | ||
Low Voltage - P.C. Board Mount (226-228 Series) 文件：278.27 Kbytes Page：1 Pages | HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司 | | ||
GaAs MMIC 3V SOT26 TRANSMIT RECEIVE SWITCH, DC - 2.0 GHz 文件：264.62 Kbytes Page：6 Pages | Hittite | |
HSC226产品属性
- 类型
描述
- 型号
HSC226
- 制造商
SEMTECH_ELEC
- 制造商全称
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
- 功能描述
SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
7488 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
6030 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
RENESAS |
2016+ |
SOD523 |
7157 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOD523 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
SOD-5230603 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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RENESAS |
24+ |
SOD-523 |
8000 |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
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Renesas(瑞萨) |
23+ |
原厂封装 |
32078 |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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SXSEMI |
24+ |
SOD523 |
900000 |
原装进口特价 |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOD523 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
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RENESAS/瑞萨 |
20+ |
SOD523 |
32970 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4424RH和HS -4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4
2013-3-2HS9-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS -117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS -117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS -117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。 特点 •电甄
2013-1-28
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