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HSC226价格
参考价格：￥0.1950
型号：HSC226TRF 品牌：HITACHI 备注：这里有HSC226多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，HSC226批发/采购报价，HSC226行情走势销售排行榜，HSC226报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HSC226 | SiliconSchottkyBarrierDiodeforHighSpeedSwitching Features •Lowreversecurrent,Lowcapacitance. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign. | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
HSC226 | SiliconSchottkyBarrierDiode Features •Lowreversecurrent,Lowcapacitance. •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign. | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 |  | |
HSC226 | SILICONSCHOTTKYBARRIERDIODE Features •Lowreversecurrent,lowcapacitance •Ultrasmallflatpackageissuitableforsurfacemountdesign | SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司 |  | |
HSC226 | SiliconSchottkyBarrierDiode Features •Lowreversecurrent,Lowcapacitance. •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign. | HitachiHitachi, Ltd. 日立公司 |  | |
HSC226 | LowForwardVoltageDrop,GuardRingConstrcitionForTransient FEATURES LowForwardVoltageDrop. GuardRingConstructionForTransientProtection. NegligibleReverseRecoveryTime. LowReverseCapacitance. APPLICATIONS Schottybarrierswitching. | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司 |  | |
3M??Scotch짰SolventResistantMaskingTape226 文件：570.33 Kbytes Page：6 Pages | 3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司 |  | | |
AxialLeadandCartridgeFuses-DesignedtoIECStandard 文件：90.53 Kbytes Page：1 Pages | LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司 |  | | |
Directpressuremeasurementisnotaffectedbygascomposition 文件：236.29 Kbytes Page：4 Pages | MKS MKS Instruments. |  | | |
LowVoltage-P.C.BoardMount(226-228Series) 文件：278.27 Kbytes Page：1 Pages | HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd. |  | | |
GaAsMMIC3VSOT26TRANSMITRECEIVESWITCH,DC-2.0GHz 文件：264.62 Kbytes Page：6 Pages | Hittite HITTITE |  | |
HSC226产品属性
- 类型
描述
- 型号
HSC226
- 制造商
SEMTECH_ELEC
- 制造商全称
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
- 功能描述
SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2023+ |
SOD523 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
RENESAS |
2020+ |
SOD-523 |
9880 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
国产 |
23+ |
SOD-523 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS/Renesas Electronics Am |
21+ |
SOD523 |
2780 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
23+ |
N/A |
85500 |
正品授权货源可靠 |
||||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
标准封装 |
7488 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
长电 |
2020+ |
SOD523 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2021+ |
SOD523 |
5980 |
只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票 |
|||
HITACHI/日立 |
23+ |
SOD-523 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
ST |
23+ |
SOT-423 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4424RH和HS-4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4
2013-3-2HS9-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS-117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS-117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS-117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。特点•电甄
2013-1-28
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