位置:首页 > IC中文资料 > HSBD136

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
HSBD136

PNP SILICON TRANSISTOR

APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications

HUASHAN

华汕电子器件

HSBD136

通用晶体管

HUASHAN

华汕电子器件

N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs . . . designed for wideband large–signal amplifier and oscillator applications up to 400 MHz range, in either single ended or push–pull configuration. • Guaranteed 28 Volt, 150 MHz Performance MRF136

MOTOROLA

摩托罗拉

POWER TRANSISTORS(8.0A,60-100V,70W)

PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 8.0 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 70 WATTS

MOSPEC

统懋

2.5V REFERENCE DIODE

文件:108.67 Kbytes Page:8 Pages

NSC

国半

2.5V REFERENCE DIODE, GUARANTEED TO 100K RADSi TESTED TO MIL-STD-883, METHOD 1019.5

文件:110.36 Kbytes Page:8 Pages

NSC

国半

2.5V REFERENCE DIODE, GUARANTEED TO 100K RADSi TESTED TO MIL-STD-883, METHOD 1019.5

文件:110.36 Kbytes Page:8 Pages

NSC

国半

HSBD136产品属性

  • 类型

    描述

  • PC(W):

    12.50

  • IC(A):

    -1.50

  • BVcbo(V):

    -45.00

  • BVceo(V):

    -45.00

  • HFE_MIN:

    40.00

  • HFE_MAX:

    250.00

  • Vces(V):

    -0.50

  • 管脚排列PINARRAY:

    ECB

  • 替代型号EQUIVALENTTYPE:

    BD136

HSBD136数据表相关新闻

  • HSM4204

    HSM4204,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ:1755232575 /QQ:1157611585,微信号:87680558.

    2021-2-16
  • HSF-48-19-BF

    HSF系列散热器/风扇组合 Wakefield-Vette的散热器/风扇组合设计用于许多行业的气流应用

    2020-3-10
  • HSMG-C170进口原装正品现货假一罚十

    HSMG-C170进口原装正品现货 假一罚十 尽在-宇集芯电子

    2019-8-2
  • HS9-4424BRH-双抗辐射,非逆变电源的MOSFET驱动器

    双抗辐射,非反相功率MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4424RH和HS -4424BRH是非相,双,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协,4

    2013-3-2
  • HS9-4423BRH-抗辐射双通道,逆变电源的MOSFET驱动器

    抗辐射双通道,逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协,4423BRH是反转,双通道,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协

    2013-3-2
  • HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器

    硬化HS -117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK(分钟)。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS -117RH比其他行业的优势标准类型的电路,以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门(RSG)的过程中,HS -117RH都难单事件闭锁,并经过特别设计,提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。 特点 •电甄

    2013-1-28