型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
HSBA15810C

MOSFET

HUASHUO

华朔半导体

N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs

Features  Advanced Trench MOS Technology  100 EAS Guaranteed  Super Low RDS(ON)  Green Device Available Applications  MOTOR Driver.  BMS.  High frequency switching and synchronous rectification.

FETEK

台湾东沅

N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs

Features Advanced Trench MOS Technology  100 EAS Guaranteed  Super Low RDS(ON)  Green Device Available Applications  MOTOR Driver.  BMS.  High frequency switching and synchronous rectification.

FETEK

台湾东沅

N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs

Features Advanced Trench MOS Technology  100 EAS Guaranteed  Super Low RDS(ON)  Green Device Available Applications  MOTOR Driver.  BMS.  High frequency switching and synchronous rectification.

FETEK

台湾东沅

N-channel 100 V, 0.0036 Ω typ., 110 A, STripFET™ F7 Power MOSFET in a TO-220 package

Features • 100 avalanche tested • Ultra low on-resistance Applications • Switching applications Description This N-channel Power MOSFETs utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal c

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 110A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.9mΩ(Max)@ VGS= 10V DESCRIPTION · Switching Applications

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-29 15:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HUASHUO(华朔)
2447
PRPAK5x6
105000
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
NK/南科功率
2025+
PRPAK5x6
986966
国产
24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

HSBA15810C芯片相关品牌

HSBA15810C数据表相关新闻

  • HSM4204

    HSM4204,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ:1755232575 /QQ:1157611585,微信号:87680558.

    2021-2-16
  • HSF-48-19-BF

    HSF系列散热器/风扇组合 Wakefield-Vette的散热器/风扇组合设计用于许多行业的气流应用

    2020-3-10
  • HSMG-C170进口原装正品现货假一罚十

    HSMG-C170进口原装正品现货 假一罚十 尽在-宇集芯电子

    2019-8-2
  • HS9-4424BRH-双抗辐射,非逆变电源的MOSFET驱动器

    双抗辐射,非反相功率MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4424RH和HS -4424BRH是非相,双,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协,4

    2013-3-2
  • HS9-4423BRH-抗辐射双通道,逆变电源的MOSFET驱动器

    抗辐射双通道,逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协,4423BRH是反转,双通道,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协

    2013-3-2
  • HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器

    硬化HS -117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK(分钟)。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS -117RH比其他行业的优势标准类型的电路,以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门(RSG)的过程中,HS -117RH都难单事件闭锁,并经过特别设计,提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。 特点 •电甄

    2013-1-28