| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
High Perform Instr, 1 Pr #12 Str TC, PVC Ins E2, PVC Jkt, PLTC Product Description High Performance Instrumentation, 1 Pair 12AWG (65x30) Tinned Copper, PVC Insulation E2 Color Code, PVC Outer Jacket, PLTC | BELDEN 百通 |   | ||
6-32 BINDING HEAD SCREW 文件：248.52 Kbytes Page：1 Pages | KEYSTONE Keystone Electronics Corp. | | ||
MACHINE SCREW PAN PHILLIPS 10-32 文件：130.87 Kbytes Page：1 Pages | KEYSTONE Keystone Electronics Corp. | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：994.09 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：367.43 Kbytes Page：5 Pages | ANACHIP 易亨电子 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOLEX/莫仕 |
2403+ |
2P |
6489 |
原装现货热卖!十年芯路!坚持! |
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TE/泰科 |
2508+ |
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320680 |
一级代理，原装现货 |
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ST/意法 |
23+ |
SOP8 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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MOLEX/莫仕 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
TE/泰科 |
26+ |
NA |
360000 |
只有原装 |
|||
24+ |
5000 |
公司存货 |
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OK |
ROHS |
13352 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
N/A |
24+ |
SOP-8 |
3500 |
原装现货,可开13%税票 |
|||
ST |
95+ |
SOP8 |
200 |
全新原装进口自己库存优势 |
|||
N/M |
25+23+ |
DIP |
48801 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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HS9148B
HS9148B,红外遥控编码电电路，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-14HS9001C
联系人：陈先生 电话：18018738768（微信同号） QQ：1005525513 我司有一手货源，价优，可以长期提供大量，优质的货源，专业的渠道，物美价廉是公司与客户之间共同的理念 由于公司型号众多，无法一一上传，如在网站找不到您要的产品，请联系业务员，本司可提供电子元器件配单服务 我司部分现货库存如下： HN5565CG H
2020-4-15HS9-2100RH-抗辐射高频半桥驱动
抗辐射高频半桥驱动 该辐射2100RH硬化HS是一个高频率，半桥100V的N沟道MOSFET驱动器IC，这是一个功能，引脚到引脚Intersil的HIP2500更换和行业标准2110种。低端和高边栅极驱动器可以独立控制。这给出了在死区时间选择用户最大的灵活性和 驱动程序的协议。此外，该器件具有片上错误检测和校正电路，可监控的高端的状态闩锁并比较它的显信号。如果他们不同意，一设置或复位脉冲生成正确的高侧闩锁。此功能保护的高一边，从特修斯闩锁。在高侧欠压供应部队，何低。当这返回一个有效的供应电压，议员将前往国家显。在低侧电源欠压部队既劳和HO低。当该供应变得有效，劳返
2013-3-3HS9-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2HS9-4424BRH-双抗辐射，非逆变电源的MOSFET驱动器
双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4424RH和HS -4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4
2013-3-2HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS -117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS -117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS -117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。 特点 •电甄
2013-1-28
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