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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. | A-POWER 富鼎先进电子 |   | ||
Low on-resistance, Capable of 2.5V gate drive Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. Low on-resistance Capable of 2.5V gate drive Low drive current Surface mount package | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
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3MTM Medical Tan Nonwoven Tape 文件：47.95 Kbytes Page：2 Pages | 3M | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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APEC/富鼎 |
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HSM4204，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-16HSF-48-19-BF
HSF系列散热器/风扇组合 Wakefield-Vette的散热器/风扇组合设计用于许多行业的气流应用
2020-3-10HS9-2100RH-抗辐射高频半桥驱动
抗辐射高频半桥驱动 该辐射2100RH硬化HS是一个高频率，半桥100V的N沟道MOSFET驱动器IC，这是一个功能，引脚到引脚Intersil的HIP2500更换和行业标准2110种。低端和高边栅极驱动器可以独立控制。这给出了在死区时间选择用户最大的灵活性和 驱动程序的协议。此外，该器件具有片上错误检测和校正电路，可监控的高端的状态闩锁并比较它的显信号。如果他们不同意，一设置或复位脉冲生成正确的高侧闩锁。此功能保护的高一边，从特修斯闩锁。在高侧欠压供应部队，何低。当这返回一个有效的供应电压，议员将前往国家显。在低侧电源欠压部队既劳和HO低。当该供应变得有效，劳返
2013-3-3HS9-4424BRH-双抗辐射，非逆变电源的MOSFET驱动器
双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4424RH和HS -4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4
2013-3-2HS9-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS -117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS -117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS -117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。 特点 •电甄
2013-1-28
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