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30V N-Channel Power

Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.9 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.5mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse transfer capacitances

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

30V N-Channel Power

General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.9 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.5mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low on

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更新时间:2025-8-6 23:00:01
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