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Dual N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100 V, 2.7 A, 105 mΩ

Features Shielded Gate MOSFET Technology Max rDS(on) = 105 mΩ at VGS = 10 V, ID = 2.7 A Max rDS(on) = 160 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 2.1 A High performance trench technology for extremely low rDS(on) High power and current handling capability in a widely used surface mount package CDM ESD

ONSEMI

安森美半导体

Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 2.7 A, 105 m廓

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Fairchild

仙童半导体

N-Channel Enhancement MOSFET

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KEXIN

科信电子

Max rDS(on) = 105 m廓 at VGS = 10 V, ID = 2.7 A

文件:251.14 Kbytes Page:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

High Speed, Dual Channel, 6A, 4.5 to 16VOUT, Power MOSFET Drivers

文件:686.32 Kbytes Page:14 Pages

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-12-17 18:53:01
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