WIDEBAND FIXED ATTENUATOR FAMILY

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WIDEBAND FIXED ATTENUATOR FAMILY, DC - 50 GHz

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封装/外壳：模具 包装：托盘 描述：RF ATTENUATOR 2DB 50OHM DIE RF/IF，射频/中频和 RFID 衰减器

固定、2 dB无源衰减器芯片，DC - 50 GHz

HMC650/651/652/653/654/655/656/657/658是一系列宽带固定值50 Ω匹配衰减器芯片，提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相对衰减电平。 这些无源旋转器和衰减器非常适合需要极端平坦衰减和出色的VSWR与频率关系的微带、混合及多芯片模块应用。 \n\n 宽带衰减器采用低电感片内过孔，无需额外的接地连接。 HMC650至HMC658背面镀金，适合共晶或环氧树脂芯片贴装。 所有9款产品均可通过相应的产品型号单独购买，或购买HMC-DK006固定衰减器芯片设计套件（含10件）。\n\n应用 \n\n 光纤产品 微波无线电 军事和 • 宽带宽： DC - 50 GHz \n\n• 9大衰减器产品： \n固定电平：0、2、3、4、6、10、15和20 dB \n\n• 功率处理： +25 dBm \n\n• HMC651 & HMC658\n裸片尺寸： 0.57 x 0.45 x 0.1 mm;

固定无源SMT衰减器，DC - 25 GHz

HMC652LP2E/653LP2E/654LP2E/655LP2E是一系列宽带固定值SMT50 Ω匹配衰减器，分别提供2、3、4和6 dB衰减电平。 这些无源衰减器非常适合需要极端平坦衰减和出色的VSWR与频率关系的军用、测试设备和其它宽带应用。 \n\n 宽带衰减器可处理高达+25 dBm的输入功率，与高容量表贴制造技术兼容。 \n\n 应用 \n\n 光纤产品 微波无线电 军事和太空 测试与测量 科研仪器 RF/微波电路原型制作 • 4大衰减器产品： \n\n• 固定衰减电平：2、3、4和6 dB \n\n• 宽带宽： DC - 25 GHz;

WIDEBAND FIXED ATTENUATOR FAMILY, DC - 25 GHz

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封装/外壳：6-TDFN 裸露焊盘 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：RF ATTENUATOR 2DB 50OHM 6TDFN RF/IF，射频/中频和 RFID 衰减器

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BD645, BD647, BD649 and BD651 ● 62.5 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V , 3 A

Octal bus transceiver/register; 3-state

DESCRIPTION The 74HC/HCT652 are high-speed SI-gate CMOS devices and are pin compatible with Low power Schottky TTL (LSTTL). They are specified in compliance with Jedec standard no. 7A. FEATURES • Multiplexed real-time and stored data • Independent register for A and B buses • Independent enab

RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

The RF Line NPN SILICON RF POWER TRANSISTORS Designedfor 12.5 Vdc UHFlarge–signal, amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz. • Guaranteed 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics Output Power = 5.0 Watts Minimum Gain = 10 dB Efficiency = 65 (

RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

The RF Line NPN SILICON RF POWER TRANSISTORS Designedfor 12.5 Vdc UHFlarge–signal, amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz. • Guaranteed 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics Output Power = 5.0 Watts Minimum Gain = 10 dB Efficiency = 65 (

DIFFERENTIAL VARIABLE GAIN AMPLIFIER

DESCRIPTION The TS652 is a differential digitally controled variable gain amplifier featuring a high slew rate of 90V/µs, a large bandwidth, a very low distortion and a very low current and voltage noise. ■ LOW NOISE : 4.6nV/√Hz ■ LOW DISTORTION ■ HIGH SLEW RATE : 90V/µs ■ WIDE BANDWIDTH : 52