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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■30V,6.2A,RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V.RDS(ON)=52mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 30V,6.2A,RDS(ON)=38mW@VGS=10V. RDS(ON)=52mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

VOLTAGE30VoltsCURRENT6.2Ampere FEATURE *Smallflatpackage.(SO-8) *HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). *Ruggedandreliable. *Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION *Servomotorcontrol. *PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplications.

CHENMKOCHENMKO

CHENMKO

CHENMKO

CABLEMICROCOAXIAL36AWG10

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ALPHAWIREAlpha Wire

阿尔法电线

ALPHAWIRE

MACHINESCREWPANPHILLIPS10-32

文件:130.87 Kbytes Page:1 Pages

KEYSTONEKeystone Electronics Corp.

Keystone公司Keystone Electronics有限公司

KEYSTONE
更新时间:2024-5-31 17:59:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
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SOP-8
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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CET
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    HM5905,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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