| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TMOSPOWERFET8.0AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoveryt | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 |  |   | |
TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technolgythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.ItisintendedforuseinDC | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 |  | | |
N-Channel60V(D-S)MOSFET 文件：1.08726 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
TMOSPOWERFET8.0AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM 文件：212.82 Kbytes Page：8 Pages | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 | | | |
TMOSPOWERFET8.0AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM 文件：212.82 Kbytes Page：8 Pages | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
08+ |
5000 |
普通 |
||||
MOT |
80 |
公司优势库存 热卖中!! |
|||||
ON/安森美 |
2024+实力库存 |
5000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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ON |
08PB |
30000 |
|||||
ON |
2023+ |
SOT252 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
VBSEMI |
19+ |
DPAK |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
|||
ON/安森美 |
22+ |
TO-252 |
95374 |
||||
ON |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
东芝 |
100 |
原装现货,价格优惠 |
|||||
ON/安森美 |
20+ |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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2012-11-7
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